IPB60R190C6 دیتاشیت

IPB60R190C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB60R190C6
حجم فایل 34.319 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

مشاهده دیتاشیت IPB60R190C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB60R190C6
  • Power Dissipation (Pd): 151W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 20.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@630uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,9.5A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه